为持续深化半导体领域产教融合，切实衔接产业实际需求，4月11日，我校邀请半导体领域资深专家赖李龙博士，主讲《半导体器件》课程第三讲：逻辑器件。本次课程面向我校微专业学生、DBU大学研究生以及对此课程有浓厚兴趣的学生，通过线上形式开展，吸引百余人参与。课程由WilliamHill中文官方网站院务秘书、数学系主任竺筱晶主持。
在本讲中，赖李龙博士围绕逻辑器件核心知识，系统梳理了半导体材料特性、MOSFET结构演变、短沟道效应及其抑制策略，并深入解析了从平面晶体管到FinFET、GAA的技术演进与可靠性测试体系，兼顾理论与实践。在半导体基础部分，他从材料本质出发，讲解了半导体电阻率可通过工艺控制、随温度指数变化的特性，明确硅材料的主流应用，同时指出PN结的单向导电性是逻辑器件（0和1）的基础。在MOSFET环节，他介绍了栅极材料从铝栅、多晶硅到高K金属栅的演进，以及MOS结构的电容特性，明确长、短沟道器件的电流特性差异和Id-Vg、Id-Vd两条核心曲线的作用。针对短沟道效应，他重点讲解了DIBL效应、穿通现象的危害，以及LDD结构、Pocket/Halo注入两种抑制方案。在先进制程与可靠性测试部分，他梳理了从平面晶体管到FinFET、GAA的演进路径，介绍了WAT测试、加速老化测试及HCI、BTI等关键失效机制，强调其对产品良率和寿命的决定性作用。整个讲解中，赖李龙博士简化复杂原理，勉励学子深耕逻辑器件技术，把握产业发展机遇。
赖李龙博士是半导体逻辑器件领域的资深专家，拥有28年以上半导体行业从业经验，学术背景深厚，先后获得国立清华大学（中国台湾）物理学士、硕士学位，以及复旦大学材料物理博士学位。曾在台湾汉磊科技、台湾茂德科技、中芯国际（上海）、芯恩集成电路（青岛）、拍字节存储（无锡）、华为松山湖资深顾问（东莞）、鹏芯微集成电路（深圳）、掺流科技、南方科技大学等多家半导体企业和高校，担任资深工程师、高级技术专家、总经理、产业教授等职务。此外，他发表各类会议、期刊论文20余篇，拥有15项以上授权专利，开展外部演讲与培训超过20次，在MOSFET结构设计、先进制程演进、可靠性测试等方面积累了深厚的理论素养与丰富的产业实践经验，授课风格严谨细致、通俗易懂，深受学子喜爱与业内认可。
此次《半导体器件》第三讲以逻辑集成电路器件为核心，覆盖半导体基础、MOSFET特性、短沟道效应及先进制程等关键内容，有效填补了学子在逻辑器件领域的知识空白，搭建起理论与实践的桥梁。未来，我校将持续依托校企合作优势，邀请更多行业资深专家开展专题授课，助力学子成长为半导体领域专业人才，为我国半导体产业高质量发展注入更多新生力量。