为深化半导体领域产教融合，帮助学子衔接理论与产业实践，3月14日，我校特邀半导体领域资深专家刘吉祥博士，主讲《半导体器件》课程第一讲：半导体器件概述。本次课程面向我校微专业学生、DBU大学研究生以及对此课程有浓厚兴趣的学生，通过线上形式开展，吸引百余人参与。课程由WilliamHill中文官方网站院务秘书、数学系主任竺筱晶主持。
在本讲中，刘吉祥博士围绕硅半导体与PN结、电晶体、MOS场效晶体管三块内容展开讲解。在半导体材料与PN结方面，详细讲解了硅材料的掺杂机制，说明通过掺杂磷或硼元素，可形成电子导电的N型半导体和空穴导电的P型半导体，结合能带结构与费米能级变化，清晰区分了半导体与绝缘体、导体的差异，同时解读了PN结的形成原理，以及其因载流子扩散形成的内建电场和单向导电特性，明确了反向饱和电流、击穿电压等关键参数的核心要求；在晶体管应用方面，深入解析了双极型晶体管的电流放大机制、工作区域划分，强调了反向漏电流对器件性能的影响，以及品质筛选对芯片良率的保障作用；在MOS管应用上，详细介绍了其电容效应、阈值电压特性，以及在数字电路中的应用优势，重点说明CMOS技术在现代数字逻辑电路中的核心地位。整个讲解过程中，刘吉祥博士结合自身丰富的行业经验，将复杂的技术原理简化拆解，便于学子理解掌握，同时勉励学子，半导体是精密且具有广阔前景的领域，深耕专业就能找到自身发展空间。
刘吉祥博士是半导体领域资深专家，拥有30余年国际半导体产业实战经验，先后获得清华大学（中国台湾）物理学士学位、材料科学与工程硕士学位以及麻省理工学院材料科学与工程博士学位。曾担任摩托罗拉、贝尔实验室的研发岗位、联电营运管理职位、中芯国际执行副总裁和芯片公司资深顾问，在半导体领域的技术研发和企业管理等方面积累了丰富经验，深受行业认可。
此次《半导体器件》第一讲以半导体元件基础认知为核心，搭建起理论与产业实践的衔接桥梁，夯实了微专业学习的基础。未来，WilliamHill中文官方网站将持续依托校企合作资源，邀请行业资深专家开展授课，助力学子成长为半导体领域专业人才，为我国半导体产业高质量发展注入新生力量。